格雷戈里·E. Triplett, Ph值.D.

奥利弗·L. 公园院长
电子与计算机工程教授

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教育

Ph.D. 在电 & 佐治亚理工学院计算机工程专业
M.S. 佛罗里达州立大学电气工程专业
B.S. 电气工程，佛罗里达A&米大学

研究兴趣

Dean Triplett的研究主要集中在纳米制造技术上 电子和光子器件性能. 

检查医生. Triplett的 精密成像研究室.

出版物和媒体投放

选定的出版物

坎贝尔,C.凯西，A.特里普利特，G. (2022). 电子剂量对正电荷的影响 金领结纳米天线纳米光刻用聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀剂. Heliyon 8 (5).

Fabiha R.凯西，A.特里普利特，G.(美国. (2021). 低温生长 模板自组装氧化锗纳米线及其拉曼表征. 氧化物电子, 93-100.

凯西,. H.多尔西，C.纽约州楚山市. E.坎贝尔，C. A., & Triplett G. E. (2020). 支链氨基酸菌株状态的共聚焦拉曼光谱特征 采用自适应主成分分析. 振动光谱, 107.

Triplett G. E., & Stanley-Shanks J., & Floyd-Miller L. A. (2018). 参与 实践:学生参与连续体(SEC) -机遇与挑战 城市机构的可持续管道优化模型. ASEE年会 & 博览会犹他州盐湖城. 10.18260/1-2—30394.

Wolenski C.张伟.迈耶，C.特里普利特，G.科尔，n.n. (2016)构成与 (100) GaSb上高应变InxGa1−xSb结构的表面变形变化. 真空科学杂志 & 技术, 34 (2): 021403.

迈耶,C.程，E.格雷尔，J.米勒，D。.特里普利特，G.罗伯茨，D.格雷厄姆, S. (2013)扩展量子级联的错误取向GaAs上InAs的伪晶生长 激光波长. 真空科学杂志 & 技术, 31 (6): 06F109.

穆勒,D.W.罗伯茨，D. & Triplett G. (2012). 应变和非应变的敏感性 GaAs(111)上的结构生长 电子材料学报， 41, 959–964.

杰夫,R. C.云，M.Ramalingam, B.李，B.米斯拉，V.特里普利特，G., & Gangopadhyay, S. (2011). 超小Pt纳米颗粒的电荷存储特性 基于砷化镓的非易失性存储器. 应用物理快报, 99(7).

贝德福德,R. G.特里普利特，G.Tomich, D. H.，科赫，S.莫洛尼，J., & Hader J. (2011). 中红外半导体激光器中减少螺旋钻复合. 应用物理杂志, 110(7).

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罗伯茨,D., & Triplett G. (2008). 应变AlGaAs/InGaAs非线性磁化率的调整 量子级联激光器. 固体电子学, 52(10), 1669-1673.